主页（http://www.kuwanit.com）：索尼黑科技 全球第一枚内置DRAM内存的手机传感器
索尼宣称，这是第一枚内置 DRAM 采用三层堆栈结构的手机 CMOS 传感器，通过内置 DRAM 有助于提供超高速的信号处理能力，带来了一系列此前可在专业级摄像机上实现的功能，使手机能够以 1000fps 的高帧速率拍摄 Full HD 超慢动作视频，并且在实现防畸变快门的同时还能够实现更低的功耗。当然了，对于索尼来说，内置 DRAM 的 CMOS 堆栈式传感器并不陌生，两年前自家闻名于世的黑卡相机 RX100 IV 和 RX10 II 都已采用类似的传感器。但是 1 英寸的传感器显然无法塞进手机，要实现这一点必然包含了多个固有的技术难题，例如如何降低三层电路之间所产生的噪点问题，毕竟索尼通过自身技术优势对此进行了很好的解决。
索尼这枚为手机设计的 CMOS 堆栈式传感器有效像素为 2120 万像素，尺寸大小为 1.22μm×1.22μm 。所谓内置 DRAM 的 CMOS，简单来说，就是在背照式感光层与底部电子线路层之间又添加了一层容量为 125MB 大小的 DRAM，便于数据直接高速写入，在仅 1/120 秒中能够实现 1930 万像素图像的高速读取，速度相比传统传感器快了四倍。
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