Micro LED成本居高难下 厂商转战“类Micro LED”寻出路

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    慧聪LED屏网报道 　  

　　Micro LED 制造成本居高不下，影响商用化进程，原因在于关键的巨量转移技术瓶颈仍待突破。TrendForce LED 研究（LEDinside）最新“Micro LED 转移技术与检测维修技术分析报告”显示，目前全球厂商积极布局转移制程，但考量每小时产出量（UPH）、良率及晶粒大小（<100μm）尚无法达到商品化的水准，厂家纷纷寻求晶粒大小约 150μm 的“类 Micro LED”解决方案，预计 2018 年“类 Micro LED”显示与投影模组产品将率先问世，待巨量转移制程稳定后再朝向 Micro LED 规格产品迈进。

　　Micro LED 巨量转移技术面临七大挑战

　　LEDinside 研究副理杨富宝表示，Micro LED 制程目前面临相当多的技术挑战，在四大关键技术中，转移技术是最困难的关键制程，必须突破的瓶颈包括设备的精密度、转移良率、转移时间、制程技术、检测方式、可重工性及加工成本。由于涉及的产业横跨 LED、半导体、面板上下游供应链，举凡芯片、机台、材料、检测设备等都与过去的规格相异，使得技术门槛提高，而异业间的沟通整合也拉长研发时程。

　　Micro LED 量产不易，良率须达 5 个标准差以上

　　LEDinside 以工业制程 6 个标准差评估 Micro LED 量产可行性，转移制程良率须达到 4 个标准差等级，才有机会商品化，但加工及维修成本仍然很高。若要做出成熟的商品化产品，并达成具有竞争力的加工成本，其转移良率至少要达到 5 个标准差以上。

　　厂商布局转移技术，Micro LED 先应用在室内显示屏幕及穿戴设备

　　尽管巨量转移仍待技术突破，LEDinside 指出，目前全球已有多家厂商投入转移技术的研发，如 LuxVue、eLux、VueReal、X-Celeprint、法国研究机构 CEA-Leti、Sony 及冲电气工业（OKI）；中国台湾地区则有錼创、工研院、Mikro Mesa 及台积电。但厂商在选择转移技术时会依不同应用产品而定，并考量设备投资、每小时产出量（UPH）及加工成本等因素，而各厂商的制程能力及良率控制，也是影响产品开发的关键。

　　以现有的发展状况看来，LEDinside 认为室内显示屏幕、智能手表和智能手环将会是首先应用 Micro LED 的产品。由于转移技术的难度甚高，各应用产品所需求的像素多寡不同，投入的厂商多半先以既有的外延焊接设备（Wafer Bonding）来做研发，或选择像素数量较少的应用产品为目标，以缩短开发时间。也有厂商直接转向研发薄膜转移（Thin Film Transfer）技术，但因设备须另外设计及调整，必须投入更多资源与时间，可能产生更多制程问题。

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责任编辑：韩素云