三星量产第二代10nm级DRAM芯片 内存价格有望下降?

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　　【天极网DIY硬件频道】三星电子今天宣布，开始量产业界首款、采用第二代10nm工艺(1y-nm)级别的DRAM芯片。三星称，第二代10纳米级工艺生产出了8Gb DDR4芯片，实现了新的突破。

　　和第一代10纳米级工艺相比，第二代工艺的产能提高30%，有助于公司满足全球客户不断飙升的DRAM芯片需求。而且，第二代10纳米级芯片要比第一代芯片快10%，功耗降低15%。同时，阵脚带宽3600Mbps起，也比1x-nm时代的DDR-3200进步。

　　与此同时，三星电子方面表示：“通过开发DRAM电路设计和工艺技术的创新，我们已经突破了DRAM扩展性的主要障碍。通过第二代10nm级DRAM的快速增长，我们将更加积极地扩展我们整体的10nm级DRAM的产品产能，以适应强劲的市场需求，并继续加强我们的业务竞争力。同时，也会进一步加快依赖DRAM技术的DDR5、GDDR6、LPDDR5、HBM3等形态存储芯片的开发工作。”

　　总之，三星第二代10nm级DRAM芯片的量产，对于消费者来说，也意味着，在这内存价格飙升的情况下，在未来内存的价格将有望下探。也就是说在明年，内存/SSD的基础产能也将得到极大的满足，最终带动价格下探。

（作者：shadow责任编辑：毛少欣）

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