三星宣布推出旗舰智能手机的512GB eUFS 3.1

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在谈到新产品时，三星执行长崔哲(Cheol Choi)表示，三星希望消除与传统存储卡相关的瓶颈。

至于这对现实生活的体验意味着什么，值得期待。有了新的内存，消费者将能够在其高级手机上享受超薄笔记本电脑的速度。无需任何缓冲就可以保存8K视频和重磅图片等大型文件。

尽管如此，的大流行肯定会打乱计划。此前，三星曾在一名员工检测出病毒阳性后，暂时关闭了位于韩国古米的工厂。

由于新型的存在，生产计划可能会中断

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所以，总的来说，形势是不确定的。因此，看看三星是否能够坚持其嵌入式存储存储器产品线的生产计划将是一件有趣的事情。

与其他国家相比，韩国在减缓疫情方面做得明显更好。尽管这听起来很有把握，但有复苏的威胁。

除了512GB版本之外，这家韩国巨头还计划在今年晚些时候为旗舰产品推出256GB和128GB选项。

512 GB eUFS 3.1 使得无需缓冲即可存储大文件

512GB eUFS 3.1的写入速度是先前移动存储器的三倍，突破了1GB / s的性能阈值。

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三星还声称，浪费时间在两台设备之间移动内容是一种损失。配备512GB eUFS 3.1的手机仅需1.5分钟即可传输100GB数据。相比之下，具有UFS 3.0的电话需要完成四分钟以上的时间才能完成同一任务。

三星现已开始批量生产世界上第一个512GB eUFS(嵌入式通用闪存)3.1。它旨在用于旗舰智能手机，并将在较旧的512GB eUFS 3.0移动内存上进行重大改进，

512GB eUFS 3.1的性能比UFS 3.0快60%。它提供每秒100,000个输入/输出操作(IOPS)的读取和每秒70,000 IOPS的写入

即使这个国家能够控制病毒，其他的问题也迫在眉睫。例如，分析人士认为，由于疫情爆发，智能手机的销售将受到打击。

第五代V-NAND的批量生产已经在三星位于中国西安的新生产线开始。该计划旨在跟上整个行业的高存储需求。为了避免出现任何问题，财阀将很快把韩国本土的平潭线的大规模生产从第五代转移到第六代V-NAND。

至于哪款手机将是首款搭载512GB eUFS 3.1的手机，最终可能会成为三星自己即将推出的Galaxy Note 20。另一个候选人是银河系的继承者。它可能在2020年下半年到达。

新存储提供的连续写入速度超过1200MB / s，是基于SATA的PC提供的速度的两倍。与速度超过十倍的UHS-I microSD卡相比，差异更为重要。