FS2410 开发板上的内存搬移实验

主页（http://www.kuwanit.com）：FS2410 开发板上的内存搬移实验

FS2410 开发板上的内存搬移实验 2016-07-20 11:22:19   来源:eefocus    关键字： FS2410  内存搬移

一、目的

   通过将 Nand Flash 前 4K 代码搬移到 SDRAM 中，了解如何初始化并使用 ARM 的内存，

   为编写 ARM bootloader 和搬移内核到内存作准备。

二、代码

   关于如何建立开发环境，在我的前一篇随笔(FS2401 发光二极管循环点亮)里有介绍, 请

   参考。要初始化并使用内存需要了解一些很锁碎的细节，上来就讲这些知识点未免生涩，不

   如在代码中穿插讲解来的直接。

   @ 文件 head.s

   @ 作用: 关闭看门狗、设置内存、向 SDRAM 搬移 Nand Flash 的前 4K 代码、设置堆栈、

   @ 调用已经搬移到 SDRAM 的 main 函数

   .text

   .global _start

   _start:

    ldr r0, =0x53000000        @ Close watch-dog

    mov r1, #0x0

    str r1, [r0]

    bl  memory_setup            @ Initialize memory setting

    bl  copy_block_to_sdram   @ Move code to SDRAM

    ldr sp, =0x34000000         @ Set stack pointer

    ldr pc, =main                   @ call main in SDRAM

   halt_loop:

    b   halt_loop

   copy_block_to_sdram:

    mov r0, #0x0

    mov r1, #0x30000000

    mov r2, #4096

   copy_loop:

    ldmia r0!, {r3-r10}

    stmia r1!, {r3-r10}

    cmp   r0, r2

    blo copy_loop

   注:看门狗(Watch Dog Timer，简称为WDT)技术就是最常见的抗干扰技术，实际上是一个

   可清零的定时计数器。

   @ 文件 memory.s

   @ 初始化内存控制寄存器

   .global memory_setup       @ 导出 memory_setup, 使其对链接器可见

   memory_setup:

    mov  r1, #0x48000000     @ BWSCON 内存控制寄存器地址

    adrl r2, mem_cfg_val   

    add  r3, r1, #13*4

   1: 

    @ write initial values to registers

    ldr  r4, [r2], #4

    str  r4, [r1], #4

    cmp  r1, r3

    bne  1b

    mov  pc, lr

    .align 4

   mem_cfg_val:

    .long 0x22111110 @ BWSCON

    .long 0x00000700 @ BANKCON0

    .long 0x00000700 @ BANKCON1

    .long 0x00000700 @ BANKCON2

    .long 0x00000700 @ BANKCON3

    .long 0x00000700 @ BANKCON4

    .long 0x00000700 @ BANKCON5

    .long 0x00018005 @ BANKCON6

    .long 0x00018005 @ BANKCON7 9bit

    .long 0x008e07a3 @ REFRESH

    .long 0x000000b2 @ BANKSIZE

    .long 0x00000030 @ MRSRB6

    .long 0x00000030 @ MRSRB7

   注: 要理解这里的寄存器设置需要看手册和资料， 这里简单介绍一下:

   1．BWSCON：对应BANK0-BANK7，每BANK使用4位。这4位分别表示:

      a．STx：启动/禁止SDRAM的数据掩码引脚，对SDRAM，此位为0；对SRAM，此位为1

      b．WSx：是否使用存储器的WAIT信号，通常设为0

      c．DWx：使用两位来设置存储器的位宽：00-8位，01-16位，10-32位，11-保留。

      d．比较特殊的是BANK0对应的4位，它们由硬件跳线决定，只读。

      e．对于本开发板，使用两片容量为32Mbyte、位宽为16的SDRAM组成容量为64Mbyte、

        位宽为32的存储器，所以其BWSCON相应位为：0010。对于本开发板，BWSCON可设为

        0x22111110：其实我们只需要将BANK6对应的4位设为0010即可，其它的是什么值没

        什么影响，这个值是参考手册上给出的。

   2．BANKCON0-BANKCON5：我们没用到，使用默认值0x00000700即可

   3．BANKCON6-BANKCON7：设为0x00018005

      在8个BANK中，只有BANK6和BANK7可以使用SRAM或SDRAM，与BANKCON0-5有点不同：

      a．MT([16:15])：用于设置本BANK外接的是SRAM还是SDRAM：SRAM-0b00，SDRAM-0b11

      b．当MT=0b11时，还需要设置两个参数：

         Trcd([3:2])：RAS to CAS delay，设为推荐值0b01

         SCAN([1:0])：SDRAM的列地址位数，本开发板的SDRAM列地址位数为9，所以SCAN=0b01

   4．REFRESH(SDRAM refresh control register)：

      其中R_CNT用于控制SDRAM的刷新周期，占用REFRESH寄存器的[10:0]位，它的取值可

      如下计算(SDRAM时钟频率就是HCLK)：

      R_CNT = 2^11 + 1 – SDRAM时钟频率(MHz) * SDRAM刷新周期(uS)

      在未使用PLL时，SDRAM时钟频率等于晶振频率12MHz；SDRAM的刷新周期在SDRAM的数

      据手册上有标明，在本开发板使用的SDRAM HY57V561620CT-H的数据手册上，可看见

      这么一行“8192 refresh cycles / 64ms”：所以，刷新周期=64ms/8192 = 7.8125 uS。

      对于本实验，R_CNT = 2^11 + 1 – 12 * 7.8125 = 1955

      REFRESH=0x008e0000 + 1955 = 0x008e07a3

   5．BANKSIZE：0x000000b2

      位[7]=1：Enable burst operation

      位[5]=1：SDRAM power down mode enable

      位[4]=1：SCLK is active only during the access (recommended)

      位[2:1]=010 BANK6、BANK7对应的地址空间: 010-128M/128M, 001-64M/64M

   6．MRSRB6、MRSRB7：0x00000030

      能让我们修改的只有位[6:4](CL)，SDRAM HY57V561620CT-H不支持CL=1的情况，所以

      位[6:4]取值为010(CL=2)或011(CL=3)

   /* 文件 sdram.c */

   /* 作用 循环点亮开发板上的 D9、D10、D11、D12 四个发光二极管 */

   #define GPFCON (*(volatile unsigned long *)0x56000050) /* GPFCON 端口地址为0x56000050 */

   #define GPFDAT (*(volatile unsigned long *)0x56000054) /* GPFDAT 端口地址为0x56000054 */

   int main()

   {

     int i,j;

     while(1) {

       for (i = 0; i