相变内存研究再获新突破 或颠覆存储行业

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据报道，斯坦福大学刚刚在相变内存（PCM）领域实现了一个新的突破：PCM的相变转变速度可比传统DRAM快千倍。今年5月IBM也宣布了一项全新的储存技术能够解决目前的电脑性能瓶颈，其成本已降至可接受的范围，从而可以进入商用阶段。IBM和斯坦福大学相继在相变内存领域取得的重大进展有望推进PCM技术成为主流。

相变存储技术是继内存、闪存之后目前世界上最先进的存储技术，可广泛应用于移动设备、大数据存储及云存储平台，被业界视为未来闪存和内存的替代品。其功耗只有现有闪存的一半，但读写速度可达闪存的1000倍。据预测，在未来30年内，基于PCM技术生产的半导体产品将成为电子存储器产业发展的主要支撑力量。

A股中：

南大光电：生产的MO源、二叔丁基碲，是制造相变存储器的核心原材料；

朗科科技：多项发明专利已覆盖相变材料等新型存储介质技术。

紫光国芯：为国内存储器的龙头和领军者；

深科技：旗下的沛顿科技已给金士顿和美光配套存储封测多年，技术国际一流，深度受益存储芯片国产化；

上海贝岭：公司已经初步形成了以电能计量、电源电路、通信电路三大产品线为主的产品布局，并成为国内10大设计企业之一。公司建有8英寸集成电路生产线，并已完成模拟电路设计从0.35微米向0.18微米升级；电源管理从低端LDO芯片向中高端DC-DC和PMU升级。公司的集成电路设计、产品应用开发，以上千种集成电路产品服务于153个行业约2000家最终用户，成为国内集成电路产品主要供应商之一。目前，拥有通信、电能计量、电源管理、分立器件、RFID芯片、手机周边电路、MCU等领域丰富的产品。

士兰微：公司是中国集成电路设计行业的领先企业，已掌握和拥有的技术可从事中高端产品的开发，核心技术在中国同行业中处于较高水平，具有明显的竞争优势（爱基,净值,资讯）。功率驱动模块的核心是高压的650V半桥驱动集成电路和IGBT、高压MOSFET、快恢复二极管等功率半导体器件，公司经过近5年的持续技术攻关，已经在自己的芯片生产线上全部实现了上述几类关键集成电路和器件的研发与批量生产，是目前国内唯一一家全面掌握上述核心技术的芯片厂家。公司全资子公司士兰明芯成功开发出了高亮度的蓝、绿光LED芯片，进入批量生产阶段并取得了良好的销售业绩。

责任编辑：李婷